高純度ベータSiC粉末 4N 5N 炭化ケイ素粉末 2μm 5μm 10μm
高純度β SiC粉末4N 5N炭化ケイ素粉末2μm 5μm 10μmは、純度5N以上のβ相炭化ケイ素です。β相立方晶炭化ケイ素は3C立方晶構造を持ち、その独特な結晶形態により、モース硬度9.5～9.75とダイヤモンドに匹敵する硬度を有します。高純度β炭化ケイ素粉末は、高温熱硬化法と化学気相成長法（CVD）を用いて製造されます。この製品は、高純度、高β相含有量、粒度制御性、優れた焼結活性、良好な分散性といった特長を備えています。同時に、立方晶炭化ケイ素は、高い熱伝導率、高い電子ドリフト速度、高い電子移動度、耐食性、良好な耐熱衝撃性など、優れた物理化学的特性を有しています。航空宇宙、ハイエンドセラミックス、新エネルギー電池、表面処理、半導体産業などで幅広く使用されています。
高純度ベータSiC粉末4N 5N炭化ケイ素粉末2μm 5μm 10μmの性能特性：
- 高純度で、製品純度は5N以上に達する。
- 立方晶相含有量最大99%、純粋なβ相結晶形態。
- 形態：幅広い粒径を選択可能な球状粒子。
- 酸素含有量が低い、0.3%未満。
- 焼結活性が高く、分散性も良好。
- 優れた耐高温性、耐摩耗性、耐腐食性、および耐熱衝撃性を備えています。
高純度ベータSiC粉末の物理的指標 4N 5N 炭化ケイ素粉末 2μm 5μm 10μm
| 結晶構造 | キュービック |
| 結晶相 | b |
| β含有量 | 99%以上 |
| 融点 | 2700° |
| 分解温度 | 2830°±40° |
| 熱膨張係数 | 2.5～7× 10⁻⁶ /℃ |
| 熱伝導率 | 0.255 W/cm K |
| モース硬度 | 9.5～9.75 |
| ビッカース硬度（微小硬度） | 3300～3500kg/mm2 |
| 比重 | 3.216g/cm3 |
仕様。
| 仕様。 | サイズ | SiCの純度（％） | βパーセンテージ | 形 |
| 5N-βSiC-100nm | 100nm | 5N | 99%以上 | 亜球面 |
| 5N-βSiC-300nm | 300nm | 5N | 99%以上 | 亜球面 |
| 5N-βSiC-500nm | 500nm | 5N | 99%以上 | 亜球面 |
| 5N-βSiC-2μm | 2μm | 5N | 99%以上 | 亜球面 |
| 5N-βSiC-5μm | 5µm | 5N | 99%以上 | 亜球面 |
| 5N-βSiC-10μm | 10μm | 5N | 99%以上 | 亜球面 |
| 5N-βSiC-10μm | 50μm | 5N | 99%以上 | 亜球面 |
| 7N-βSiC-G | 1～10mm | 7N | 99%以上 | 粒子 |
高純度ベータSiC粉末4N 5N炭化ケイ素粉末2μm 5μm 10μmの応用
- 微粉砕
- 精密炭化ケイ素セラミックス
- 新エネルギー電池
- 半導体
- 特殊コーティング
- 高温材料
- 電子部品
